Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SH8KE7TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KE7TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KE7TB1
Price: 24.31 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-SH8KE7TB1

Tillverk: Nr.:

SH8KE7TB1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

Datablad:

SH8KE7TB1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor SH8KE7TB1

På lager: 4 733

Lager:: 4 733 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	24,31 kr	24,31 kr
	16,68 kr	166,80 kr
	11,77 kr	1.177,00 kr
	9,66 kr	4.830,00 kr
	9,25 kr	9.250,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	8,47 kr	21.175,00 kr
	8,21 kr	41.050,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOP-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	8 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	20.9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	19.8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	2 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Falltid:	18 ns
Transkonduktans framåt - Min:	7.1 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	22 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	44 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SH8KE7TB1 Datablad

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs feature two 40V or 60V MOSFETs in a small, surface-mount SOP8 package with eight terminals. The SH8K series offers low on-resistance and maximum R_DS(on) of 8.4mΩ, 12.4mΩ, or 19.4mΩ. Other features are 2W power dissipation and ±8.5A, ±10.5, or ±13.5A drain current ID. These RoHS-compliant MOSFETs are halogen free and use Pb-free plating. ROHM Semiconductor SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs are ideally suited for switching applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.