Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SCT4036DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4036DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036DEC11
Price: 125.46 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-SCT4036DEC11

Tillverk: Nr.:

SCT4036DEC11

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

SCT4036DEC11 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor SCT4036DEC11

På lager: 450

Lager:: 450 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	125,46 kr	125,46 kr
	76,08 kr	760,80 kr
	65,62 kr	6.562,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247N-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	750 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	42 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	47 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.8 V
Qg - Gate-laddning:	72 nC
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	136 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	11 ns
Transkonduktans framåt - Min:	10 S
Förpackning:	Tube
Produkt:	Power MOSFETs
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	22 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	450
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	SiC Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	28 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	13 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SCT4036DEC11 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.