Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SCT4026DRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4026DRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4026DRC15
Price: 135.38 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-SCT4026DRC15

Tillverk: Nr.:

SCT4026DRC15

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar TO247 750V 56A N-CH SIC

Datablad:

SCT4026DRC15 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor SCT4026DRC15

På lager: 375

Lager:: 375 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 375 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	135,38 kr	135,38 kr
	116,09 kr	1.160,90 kr
	114,45 kr	11.445,00 kr
	113,47 kr	51.061,50 kr
5 400	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	750 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	56 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	26 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.8 V
Qg - Gate-laddning:	94 nC
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	176 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	13 ns
Transkonduktans framåt - Min:	16 S
Förpackning:	Tube
Produkt:	MOSFET's
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	22 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	450
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	45 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9.5 ns
Del # Alias:	SCT4026DR

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SCT4026DRC15 Datablad

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.