Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SCS212AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS212AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS212AGC17
Price: 60.93 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-SCS212AGC17

Tillverk: Nr.:

SCS212AGC17

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

SiC-schottkydioder SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

SCS212AGC17 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor SCS212AGC17

På lager: 830

Lager:: 830 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 21 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 830 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	60,93 kr	60,93 kr
	33,57 kr	335,70 kr
	30,74 kr	3.074,00 kr
	29,10 kr	14.550,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220ACG-2
Konfiguration:	Single
If - Framström:	12 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	650 V
Vf - Framspänning:	1.55 V
Ifsm - Stötström framåt:	43 A
Ir - Motström:	240 uA
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Förpackning:	Tube
Märke:	ROHM Semiconductor
Pd - Effektavledning:	93 W
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Vr - Backspänning:	650 V
Del # Alias:	SCS212AG

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SCS212AGC17 Datablad (PDF)

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (Q_C), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.