SCS206AGC17

ROHM Semiconductor
755-SCS206AGC17
SCS206AGC17

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-schottkydioder SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om ROHM Semiconductor SCS206AGC17

Tillgänglighet

Lager:
Inte tillgänglig

Prissättning (SEK)

Begär ett pris

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
ROHM Semiconductor
Produktkategori: SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:  
Through Hole
TO-220ACG-2
Single
6 A
650 V
1.55 V
23 A
120 uA
+ 175 C
Tube
Märke: ROHM Semiconductor
Pd - Effektavledning: 51 W
Produkttyp: SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: Diodes & Rectifiers
Vr - Backspänning: 650 V
Del # Alias: SCS206AG
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (QC), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.