SBRT3M30LP-7

Diodes Incorporated
621-SBRT3M30LP-7
SBRT3M30LP-7

Tillverk:

Beskrivning:
Schottky-dioder och -likriktare 3A TrenchSBR 30V 3A 0.49Vf 0.02

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 213

Lager:
1 213 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
6,46 kr 6,46 kr
4,24 kr 42,40 kr
3,44 kr 344,00 kr
2,65 kr 1.325,00 kr
2,39 kr 2.390,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
1,90 kr 5.700,00 kr
1,87 kr 11.220,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Diodes Incorporated
Produktkategori: Schottky-dioder och -likriktare
RoHS-direktivet:  
Schottky Rectifiers
SMD/SMT
U-DFN-3030-8
Single Quad Anode Quad Cathode
Si
3 A
30 V
490 mV
30 A
20 uA
- 65 C
+ 175 C
SBRT3
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Diodes Incorporated
Produkttyp: Schottky Diodes & Rectifiers
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Diodes & Rectifiers
Enhetens vikt: 12 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

Schottky SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. Schottky SBR® Super Barrier Rectifiers are Schottky rectifiers that utilize an MOS manufacturing process. This creates a superior two-terminal device that has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. They possess the thermal stability and high-reliability characteristics of PN epitaxial diodes.