Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RQ3E120GNTB

Name: ROHM Semiconductor RQ3E120GNTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3E120GNTB
Price: 7.31 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RQ3E120GNTB

Tillverk: Nr.:

RQ3E120GNTB

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 4.5V Drive Nch MOSFET

Datablad:

RQ3E120GNTB Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RQ3E120GNTB

På lager: 29 681

Lager:: 29 681 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	7,31 kr	7,31 kr
	4,56 kr	45,60 kr
	2,94 kr	294,00 kr
	2,25 kr	1 125,00 kr
	2,03 kr	2 030,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	1,72 kr	5 160,00 kr
	1,58 kr	9 480,00 kr
	1,53 kr	13 770,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HSMT-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	27 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	8.8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	10 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	2 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Falltid:	3.4 ns
Transkonduktans framåt - Min:	10 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	4.5 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	25.5 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9.6 ns
Del # Alias:	RQ3E120GN
Enhetens vikt:	195,815 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RQ3E120GNTB Datablad

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

SpiceLink

Technical Resources

Test/Quality Data

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Medium Power MOSFETs

ROHM Medium Power MOSFETs are low ON-resistance devices useful for a wide range of applications. These MOSFETs feature a broad lineup with compact, high-power, and complex types to meet various needs. ROHM Medium Power MOSFETs come in high-power small mold packages, and typical applications are for DC/DC converters and load switches.