RGSX5TS65EGC11

ROHM Semiconductor
755-RGSX5TS65EGC11
RGSX5TS65EGC11

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 438

Lager:
438 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 438 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
51,99 kr 51,99 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
ROHM Semiconductor
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
650 V
2.15 V
30 V
114 A
404 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Märke: ROHM Semiconductor
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TH
Gate-sändarens läckström: 200 nA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 450
Underkategori: IGBTs
Del # Alias: RGSX5TS65E
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs feature a low collector-emitter saturation voltage. The RGSX5TS65 has a short circuit withstand time of 8μs. It's qualified to AEC-Q101 and has Pb-free lead plating.