Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RGSX5TS65DHRC11

Name: ROHM Semiconductor RGSX5TS65DHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGSX5TS65DHRC11
Price: 106.06 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RGSX5TS65DHRC11

Tillverk: Nr.:

RGSX5TS65DHRC11

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

RGSX5TS65DHRC11 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RGSX5TS65DHRC11

På lager: 450

Lager:: 450 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 450 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	106,06 kr	106,06 kr
	63,44 kr	634,40 kr
	57,88 kr	5 788,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	TO-247N-3
Monteringsstil:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	650 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	2.15 V
Maximal grind-emitterspänning:	30 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	114 A
Pd - Effektavledning:	404 W
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Förpackning:	Tube
Märke:	ROHM Semiconductor
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Gate-sändarens läckström:	200 nA
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	450
Underkategori:	IGBTs
Del # Alias:	RGSX5TS65DHR

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrera dokument:

Datablad

RGSX5TS65DHRC11 Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs feature a low collector-emitter saturation voltage. The RGSX5TS65 has a short circuit withstand time of 8μs. It's qualified to AEC-Q101 and has Pb-free lead plating.