Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RGS80TSX2DGC11

Name: ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS80TSX2DGC11
Price: 122.95 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RGS80TSX2DGC11

Tillverk: Nr.:

RGS80TSX2DGC11

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

Datablad:

RGS80TSX2DGC11 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RGS80TSX2DGC11

På lager: 849

Lager:: 849 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	122,95 kr	122,95 kr
	71,07 kr	710,70 kr
	63,87 kr	6.387,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	TO-247N-3
Monteringsstil:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	1.2 kV
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	2.1 V
Maximal grind-emitterspänning:	30 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	80 A
Pd - Effektavledning:	555 W
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Förpackning:	Tube
Märke:	ROHM Semiconductor
Gate-sändarens läckström:	500 nA
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	450
Underkategori:	IGBTs
Del # Alias:	RGS80TSX2D

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RGS80TSX2DGC11 Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter, UPS, PV inverters, and power conditioner applications. The RGSx0TSX2x IGBTs offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (V_CE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.