Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RF3L05150CB4

Name: STMicroelectronics RF3L05150CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF3L05150CB4
Price: 1458.42 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-RF3L05150CB4

Tillverk: Nr.:

RF3L05150CB4

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

RF MOSFET-transistorer 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Komplettera din design

Datablad:

RF3L05150CB4 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics RF3L05150CB4

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 100 Flera: 100

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 100)
	1 458,42 kr	145 842,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:
Transistorns polaritet:	N-Channel
Teknologi:	Si
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	2.5 A
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	28 V
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1 Ohms
Manövreringsfrekvens:	945 MHz
Förstärkning:	16 dB
Utgångseffekt:	150 W
Maximal drifttemperatur:	+ 200 C
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	LBB-4
Förpackning:	Reel
Märke:	STMicroelectronics
Antal kanaler:	1 Channel
Produkttyp:	RF MOSFET Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	100
Underkategori:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Enhetens vikt:	2,400 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RF3L05150CB4 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor is a 150W, 28/32V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications. The STM RF3L05150CB4 LDMOS Transistor is designed for applications with frequencies from HF to 1GHz. The RF3L05150CB4 can be used in class AB, B, or C for all typical modulation formats.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.