Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

R8007AND3FRATL

Name: ROHM Semiconductor R8007AND3FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8007AND3FRATL
Price: 33.79 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-R8007AND3FRATL

Tillverk: Nr.:

R8007AND3FRATL

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto

Datablad:

R8007AND3FRATL Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor R8007AND3FRATL

På lager: 4 783

Lager:: 4 783 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 23 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	33,79 kr	33,79 kr
	27,36 kr	273,60 kr
	27,03 kr	2.703,00 kr
	22,78 kr	11.390,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	22,78 kr	56.950,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	800 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	7 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.6 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	28 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	140 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	40 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	28 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	55 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	26 ns
Del # Alias:	R8007AND3FRA
Enhetens vikt:	330 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrera dokument:

Datablad

R8007AND3FRATL Datablad

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

R800xxND3FRA N-Channel Automotive Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R800xxND3FRA N-Channel Automotive Power MOSFETs are low on-resistance MOSFETs with simple drive circuits. These MOSFETs feature fast switching speed, lead-free plating, and are AEC-Q101 qualified. The R800xxND3FRA MOSFETs are available in DPAK (TO-252) packages. ROHM Semiconductor R800xxND3FRA MOSFETs are suitable for switching power supplies.