Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

QH8KE6TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8KE6TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8KE6TCR
Price: 13.63 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-QH8KE6TCR

Tillverk: Nr.:

QH8KE6TCR

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 100V 4A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

Datablad:

QH8KE6TCR Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor QH8KE6TCR

På lager: 151

Lager:: 151

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 3 000

Förväntad 2026-05-14
Fabrikens ledtid:: 16

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	13,63 kr	13,63 kr
	8,60 kr	86,00 kr
	5,45 kr	545,00 kr
	4,47 kr	2.235,00 kr
	4,08 kr	4.080,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	3,56 kr	10.680,00 kr
	3,31 kr	19.860,00 kr
	3,29 kr	29.610,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TSMT-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	56 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	6.7 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.5 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Falltid:	9 ns
Transkonduktans framåt - Min:	3.4 S
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	20 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	7.5 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

QH8KE6TCR Datablad

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs

ROHM Semiconductor QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs support 40V, 60V, or 100V withstand voltages. This series is designed for 24V input equipment such as factory automation equipment, and motors mounted on base stations (cooling fans). The QH8K devices consist of a low on-resistance Nch MOSFET, which is reduced by 58% compared to conventional ROHM products. This results in low power consumption of components. These MOSFETs come in a small, surface-mount TSMT8 package with eight terminals and Pb-free plating. ROHM Semiconductor QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs are ideal for switching and motor drive applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.