Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

PSMN2R8-40YSBX

Name: Nexperia PSMN2R8-40YSBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R8-40YSBX
Price: 14.06 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

771-PSMN2R8-40YSBX

Tillverk: Nr.:

PSMN2R8-40YSBX

Tillverk:

Nexperia

Beskrivning:

MOSFET:er SOT669 N-CH 40V 160A

Datablad:

PSMN2R8-40YSBX Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Nexperia PSMN2R8-40YSBX

På lager: 1 931

Lager:: 1 931 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	14,06 kr	14,06 kr
	8,87 kr	88,70 kr
	5,92 kr	592,00 kr
	4,64 kr	2 320,00 kr
	4,01 kr	4 010,00 kr
	3,78 kr	5 670,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Nexperia
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	Power-SO8-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	160 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.6 V
Qg - Gate-laddning:	42 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	147 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Falltid:	9 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	22 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns
Del # Alias:	934665895115

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs are housed in highly efficient and space-saving LFPAK56 packages. These MOSFETs are Avalanche-rated. The NextPowerS3 MOSFETs support a maximum junction temperature of +175°C. These MOSFETs are EU RoHS-compliant. The NextPowerS3 MOSFETs feature a peak soldering temperature of +260°C and a -55°C to +175°C storage temperature range. Typical applications include DC-to-DC converters and brushless DC motor control.