Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

PSMN2R0-55YLHX

Name: Nexperia PSMN2R0-55YLHX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R0-55YLHX
Price: 45.45 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

771-PSMN2R0-55YLHX

Tillverk: Nr.:

PSMN2R0-55YLHX

Tillverk:

Nexperia

Beskrivning:

MOSFET:er SOT1023 N-CH 55V 200A

Datablad:

PSMN2R0-55YLHX Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Nexperia PSMN2R0-55YLHX

På lager: 1 995

Lager:: 1 995 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	45,45 kr	45,45 kr
	29,65 kr	296,50 kr
	24,63 kr	1.231,50 kr
	20,60 kr	2.060,00 kr
	20,49 kr	5.122,50 kr
	20,06 kr	10.030,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	15,81 kr	23.715,00 kr
	15,04 kr	45.120,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Nexperia
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-1023-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	55 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	200 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.1 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.2 V
Qg - Gate-laddning:	119 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	333 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Nexperia
Falltid:	28 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	38 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	60 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	39 ns
Del # Alias:	934661304115

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

PSMN2R0-55YLHX Datablad (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs

Nexperia LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs provide an alternative to D²PAK by delivering an industry-leading power density in an innovative 8mm x 8mm footprint. These Nexperia MOSFETs deliver 2x higher continuous current ratings, ultimate thermal performance and reliability, and up to 60% space efficiency. Nexperia LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs are available in automotive AEC-Q101 and industrial grades.

NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia NextPowerS3 MOSFETs are a high-performance 25V, 30V, and 40V MOSFET platform incorporating Nexperia superjunction technology. Nexperia NextPowerS3 devices are offered in a copper-clip LFPAK package, delivering low R_DS(on) and demonstrating a continuous current capability up to 380A. Synchronous working parameters allow NextPowerS3 MOSFETs to provide high performance and high reliability.

50V/55V MOSFETs for 36V DC Motors

Nexperia 50V/55V MOSFETs for 36V DC Motors offer 330A or 410A of continuous current in an LFPAK88 package. The logic level, gate drive, and N-channel enhancement-mode MOSFETs are members of the MOSFETs for Battery Isolation and DC Motor control family. The devices use Nexperia’s unique “SchottkyPlus” technology that delivers high efficiency and low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current.