Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

PSMN1R9-40YSBX

Name: Nexperia PSMN1R9-40YSBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R9-40YSBX
Price: 19.08 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

771-PSMN1R9-40YSBX

Tillverk: Nr.:

PSMN1R9-40YSBX

Tillverk:

Nexperia

Beskrivning:

MOSFET:er SOT669 N-CH 40V 200A

Datablad:

PSMN1R9-40YSBX Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Nexperia PSMN1R9-40YSBX

På lager: 1 945

Lager:: 1 945 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	19,08 kr	19,08 kr
	12,32 kr	123,20 kr
	11,88 kr	594,00 kr
	8,25 kr	825,00 kr
	6,55 kr	3.275,00 kr
	6,54 kr	9.810,00 kr
	5,09 kr	15.270,00 kr
	5,00 kr	22.500,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Nexperia
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	Power-SO8-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	200 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.6 V
Qg - Gate-laddning:	56 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	194 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Falltid:	13 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	11 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	N-Channel TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	33 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns
Del # Alias:	934665891115

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs are housed in highly efficient and space-saving LFPAK56 packages. These MOSFETs are Avalanche-rated. The NextPowerS3 MOSFETs support a maximum junction temperature of +175°C. These MOSFETs are EU RoHS-compliant. The NextPowerS3 MOSFETs feature a peak soldering temperature of +260°C and a -55°C to +175°C storage temperature range. Typical applications include DC-to-DC converters and brushless DC motor control.