Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NXH007F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H007F120M3F2PTHG
Price: 1708.79 SEK
Availability: InStock

Mouser nr:

863-H007F120M3F2PTHG

Tillverk: Nr.:

NXH007F120M3F2PTHG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET-moduler 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NXH007F120M3F2PTHG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NXH007F120M3F2PTHG

På lager: 23

Lager:: 23 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	1 708,79 kr	1 708,79 kr
	1 567,97 kr	15 679,70 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Press Fit
Paket/låda:	PIM-34
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	149 A
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.72 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	353 W
Serie:	NXH007F120M3F2PTHG
Förpackning:	Tray
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Full Bridge
Falltid:	13.2 ns
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	12 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	20
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Handelsnamn:	EliteSiC
Typ:	Full Bridge
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	121.6 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	37.2 ns
Vf - Framspänning:	5.03 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NXH007F120M3F2PTHG Datablad

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET:ar

onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET:ar är effektmoduler som innehåller en fullständig brygga och en termistor i en F1-kapsling. MOSFETARNA har termistorer och stift för presspassning. NXH0x0F120MNF1 modulerna tillhandahåller både förapplicerat termiskt gränssnittsmaterial (TIM) och utan förapplicerade TIM-alternativ. Modulerna är perfekt för solcellsomvandlare, avbrottsfria strömförsörjningar, laddningsstationer för elektriska fordon och industriell strömförsörjning. Modulerna NXH0x0F120MNF1 är blyfria, halidfria och uppfyller RoHS. Modulerna levereras med -40°C till 150°C i lagringstemperaturområdet och -40°C till 175°C driftövergångstemperaturområdet.