Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVD5C446NT4G

Name: onsemi NVD5C446NT4G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVD5C446NT4G
Price: 28.45 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVD5C446NT4G

Tillverk: Nr.:

NVD5C446NT4G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er T6 40V SL DPAK

Datablad:

NVD5C446NT4G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVD5C446NT4G

På lager: 3 444

Lager:: 3 444 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	28,45 kr	28,45 kr
	18,53 kr	185,30 kr
	12,86 kr	1 286,00 kr
	10,78 kr	5 390,00 kr
	10,03 kr	10 030,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	10,03 kr	25 075,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	101 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	34.3 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	101 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	VN
Falltid:	17 ns
Transkonduktans framåt - Min:	100 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	62 ns
Serie:	NVD5C446N
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	43 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	20 ns
Enhetens vikt:	330 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVD5C446NT4G Datablad

Models

NVD5C446NT4G Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVD5C Power MOSFETs

onsemi NVD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified and offer robust solutions for automotive applications. NVD5C Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, surface-mount DPAK package and are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.