NTMYS7D3N04CLTWG

onsemi
863-NTMYS7D3N04CLTWG
NTMYS7D3N04CLTWG

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 4 088

Lager:
4 088 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
23 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
16,57 kr 16,57 kr
12,10 kr 121,00 kr
8,94 kr 894,00 kr
6,95 kr 3 475,00 kr
6,34 kr 6 340,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
6,14 kr 18 420,00 kr
5,53 kr 33 180,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
52 A
7.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
7 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: onsemi
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: PH
Falltid: 6 ns
Transkonduktans framåt - Min: 33 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 24 ns
Serie: NTMYS7D3N04CL
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 29 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 8 ns
Enhetens vikt: 75 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

LFPAK4 Industrial N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Industrial N-channel Power MOSFETs are single MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These industrial-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide, -55°C to +175°C operating temperature range.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.