NTMFS3D5N08XT1G

onsemi
863-NTMFS3D5N08XT1G
NTMFS3D5N08XT1G

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 5 697

Lager:
5 697
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
3 000
Förväntad 2026-04-03
Fabrikens ledtid:
24
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
18,09 kr 18,09 kr
12,75 kr 127,50 kr
8,88 kr 888,00 kr
7,09 kr 3.545,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
6,20 kr 9.300,00 kr
5,77 kr 17.310,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
80 V
135 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
119 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: onsemi
Konfiguration: Single
Falltid: 5 ns
Transkonduktans framåt - Min: 97 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 7 ns
Serie: NTMFS3D5N08X
Fabriksförpackningskvantitet: 1500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 32 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 23 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

PowerTrench-teknik

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.