Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NTMFS1D3N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS1D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS1D3N04XMT1G
Price: 18.09 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTMFS1D3N04XMT1G

Tillverk: Nr.:

NTMFS1D3N04XMT1G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Datablad:

NTMFS1D3N04XMT1G Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTMFS1D3N04XMT1G

På lager: 6 718

Lager:: 6 718 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 30 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	18,09 kr	18,09 kr
	13,08 kr	130,80 kr
	8,98 kr	898,00 kr
	7,34 kr	3.670,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	6,87 kr	10.305,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-5
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	195 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.3 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Qg - Gate-laddning:	38.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	90 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	5.47 ns
Transkonduktans framåt - Min:	105 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	6.27 nC
Serie:	NTMFS1D3N04XM
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	29.2 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	20 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTMFS1D3N04XMT1G Datablad

PCN

Product Change Notification 2024-02-06 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerTrench-teknik

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.