MWT-LN600

CML Micro
938-MWT-LN600
MWT-LN600

Tillverk:

Beskrivning:
RF MOSFET-transistorer Low Noise pHEMT Devices

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 100

Lager:
100 Kan skickas omedelbart
Partier som är större än 100 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 10   Flera: 10
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
326,35 kr 3.263,50 kr
304,33 kr 76.082,50 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
CML Micro
Produktkategori: RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:  
GaAs
175 mA
4.5 V
26 GHz
8 dB, 11 dB
20 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Märke: CML Micro
Transkonduktans framåt - Min: 300 mS
Pd - Effektavledning: 500 mW
Produkttyp: RF MOSFET Transistors
Serie: MWT
Fabriksförpackningskvantitet: 10
Underkategori: MOSFETs
Handelsnamn: MWT-LN600
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541210040
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

PRESENTERADE PRODUKTER
CML MICRO