MURTA40060

Name: Navitas Semiconductor MURTA40060
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-MURTA40060
Price: 1506.16 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

905-MURTA40060

Tillverk: Nr.:

MURTA40060

Tillverk:

GeneSiC Semiconductor

Beskrivning:

Diodmoduler 600V 400A Si Super Fast Recovery

Datablad:

MURTA40060 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 8

Lager:: 8 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 10 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	1.506,16 kr	1.506,16 kr
	1.318,46 kr	13.184,60 kr
	1.318,03 kr	31.632,72 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Navitas Semiconductor
Produktkategori:	Diodmoduler
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	Three Tower Iso
Vr - Backspänning:	600 V
If - Framström:	400 A
Typ:	Super Fast Recovery
Konfiguration:	Dual-Common Cathode
Vf - Framspänning:	1.7 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Förpackning:	Bulk
Märke:	GeneSiC Semiconductor
Produkttyp:	Diode Modules
Fabriksförpackningskvantitet:	24
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Teknologi:	Si

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MURTA40060 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

MURT400x Silicon Super Fast Recovery Diodes

GeneSiC Semiconductor MURT400x silicon super fast recovery diodes provide high surge capability and repetitive peak reverse voltage of up to 600V. GeneSiC MURT400x silicon super fast recovery diodes come in a three tower package and feature continuous forward current of 400A. These GeneSiC Semiconductor silicon super fast recovery diodes provide an operating temperature of -40ºC to +175°C.