Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MSCSM120DAM31CTBL1NG

Name: Microchip MSCSM120DAM31CTBL1NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120DAM31CTBL1NG
Price: 828.29 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

579-M120DAM31CTBL1NG

Tillverk: Nr.:

MSCSM120DAM31CTBL1NG

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

Åtskilda halvledaremoduler PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

Datablad:

MSCSM120DAM31CTBL1NG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Microchip Technology MSCSM120DAM31CTBL1NG

På lager: 11

Lager:: 11 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	828,29 kr	828,29 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	Åtskilda halvledaremoduler
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	MOSFET / SiC SBD
Teknologi:	SiC
Vf - Framspänning:	1.5 V
Vr - Backspänning:	1.2 kV
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 25 V
Monteringsstil:	Screw Mount
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Märke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Boost Chopper
Falltid:	25 ns
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	79 A
Pd - Effektavledning:	310 W
Produkttyp:	Discrete Semiconductor Modules
Rds på - Dräneringskällans resistans:	31 mOhms
Stigtid:	30 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorns polaritet:	N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	50 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	30 ns
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MSCSM120DAM31CTBL1NG Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MSCSM120x MOSFET Power Modules

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET Power Modules are high-efficiency converters that feature Si₃N₄ substrate with thick copper for improved thermal performance. These modules offer a low profile, direct mounting to the heatsink (isolated package), an internal thermistor for temperature monitoring, and an extended temperature range. The MSCSM120x modules operate at 1.2kV reverse voltage (V_R), -10V to 25V gate-source voltage range (V_GS), 310W/560W power dissipation (P_D), and 79A/150A continuous drain current (I_D). These modules are used in applications such as high-reliability power systems, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, motor control, and AC switches.