MRFE6VP6300HR5

NXP Semiconductors
841-MRFE6VP6300HR5
MRFE6VP6300HR5

Tillverk:

Beskrivning:
RF MOSFET-transistorer VHV6 300W50VISM NI780H-4

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 527

Lager:
527 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
3 539,34 kr 3 539,34 kr
2 944,74 kr 29 447,40 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
2 944,74 kr 147 237,00 kr
100 Beräkning
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
NXP
Produktkategori: RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:  
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
26.5 dB
300 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780-4
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: NXP Semiconductors
Antal kanaler: 2 Channel
Pd - Effektavledning: 1.05 kW
Produkttyp: RF MOSFET Transistors
Serie: MRFE6VP6300H
Fabriksförpackningskvantitet: 50
Underkategori: MOSFETs
Typ: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-källans spänning: + 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning: 2.7 V
Del # Alias: 935317343178
Enhetens vikt: 6,396 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 VSWR, a 50VDC, 230MHz at all phase angles.