Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MRFE6VP5600HR5

Name: NXP MRFE6VP5600HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP5600HR5
Price: 7892.25 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

841-MRFE6VP5600HR5

Tillverk: Nr.:

MRFE6VP5600HR5

Tillverk:

NXP Semiconductors

Beskrivning:

RF MOSFET-transistorer VHV6 600W 50V NI1230H

Datablad:

MRFE6VP5600HR5 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om NXP Semiconductors MRFE6VP5600HR5

På lager: 50

Lager:: 50 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	7 892,25 kr	7 892,25 kr
	6 570,85 kr	65 708,50 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
	6 570,85 kr	328 542,50 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	NXP
Produktkategori:	RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:
Transistorns polaritet:	N-Channel
Teknologi:	Si
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	2 A
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	130 V
Manövreringsfrekvens:	1.8 MHz to 600 MHz
Förstärkning:	25 dB
Utgångseffekt:	600 W
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	NI-1230
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	NXP Semiconductors
Pd - Effektavledning:	1.667 kW
Produkttyp:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRFE6VP5600H
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-källans spänning:	+ 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.7 V
Del # Alias:	935310538178
Enhetens vikt:	13,155 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MRFE6VP5600HR5 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 V_SWR, a 50V_DC, 230MHz at all phase angles.