MR4A16BMA35

Everspin Technologies
936-MR4A16BMA35
MR4A16BMA35

Tillverk:

Beskrivning:
MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 616

Lager:
616 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
445,59 kr 445,59 kr
411,48 kr 4.114,80 kr
398,07 kr 9.951,75 kr
388,26 kr 19.413,00 kr
367,11 kr 36.711,00 kr
332,34 kr 79.761,60 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Everspin Technologies
Produktkategori: MRAM
RoHS-direktivet:  
BGA-48
Parallel
16 Mbit
1 M x 16
16 bit
35 ns
3 V
3.6 V
60 mA, 152 mA
0 C
+ 70 C
MR4A16B
Tray
Märke: Everspin Technologies
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Pd - Effektavledning: 600 mW
Produkttyp: MRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 240
Underkategori: Memory & Data Storage
Handelsnamn: Parallel I/O (x16)
Enhetens vikt: 7,808 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8542329000
CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.