Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

MR2A08AMYS35

Name: Everspin Technologies MR2A08AMYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08AMYS35
Price: 491.81 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

936-MR2A08AMYS35

Tillverk: Nr.:

MR2A08AMYS35

Tillverk:

Everspin Technologies

Beskrivning:

MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

Datablad:

MR2A08AMYS35 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Everspin Technologies MR2A08AMYS35

På lager: 316

Lager:: 316 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	491,81 kr	491,81 kr
	454,42 kr	4.544,20 kr
	441,56 kr	11.039,00 kr
540	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Everspin Technologies
Produktkategori:	MRAM
RoHS-direktivet:
Paket/låda:	TSOP-II-44
Gränssnittstyp:	Parallel
Minnesstorlek:	4 Mbit
Organisation:	512 k x 8
Databussbredd:	8 bit
Åtkomsttid:	35 ns
Minimal matningsspänning:	3 V
Maximal matningsspänning:	3.6 V
Arbetsström:	30 mA, 90 mA
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Serie:	MR2A08A
Förpackning:	Tray
Märke:	Everspin Technologies
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Pd - Effektavledning:	600 mW
Produkttyp:	MRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	135
Underkategori:	Memory & Data Storage
Handelsnamn:	Parallel I/O (x8)

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MR2A08AMYS35 Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.