MR2A08ACMA35

Everspin Technologies
936-MR2A08ACMA35
MR2A08ACMA35

Tillverk:

Beskrivning:
MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 600

Lager:
600 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
330,49 kr 330,49 kr
305,85 kr 3.058,50 kr
296,04 kr 7.401,00 kr
288,74 kr 14.437,00 kr
281,55 kr 28.155,00 kr
268,79 kr 67.197,50 kr
266,72 kr 92.818,56 kr
2 784 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Everspin Technologies
Produktkategori: MRAM
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
BGA-48
Parallel
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
30 mA, 90 mA
- 40 C
+ 85 C
MR2A08A
Tray
Märke: Everspin Technologies
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Pd - Effektavledning: 600 mW
Produkttyp: MRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 348
Underkategori: Memory & Data Storage
Handelsnamn: Parallel I/O (x8)
Enhetens vikt: 3 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.