MR25H128AMDF

Everspin Technologies
936-MR25H128AMDF
MR25H128AMDF

Tillverk:

Beskrivning:
MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 216

Lager:
216 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
134,72 kr 134,72 kr
125,13 kr 1.251,30 kr
121,32 kr 3.033,00 kr
120,66 kr 6.033,00 kr
102,46 kr 58.402,20 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Everspin Technologies
Produktkategori: MRAM
RoHS-direktivet:  
DFN-8
SPI
128 kbit
16 k x 8
8 bit
2.7 V
3.6 V
6 mA, 23 mA
- 40 C
+ 125 C
MR25H128A
Tray
Märke: Everspin Technologies
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Pd - Effektavledning: 600 mW
Produkttyp: MRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 570
Underkategori: Memory & Data Storage
Handelsnamn: Serial I/O (SPI)
Enhetens vikt: 5,163 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.