MASTERGAN4LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4LTR
MASTERGAN4LTR

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 367

Lager:
1 367 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 1367 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
53,96 kr 53,96 kr
41,42 kr 414,20 kr
38,26 kr 956,50 kr
34,77 kr 3.477,00 kr
33,14 kr 8.285,00 kr
32,16 kr 16.080,00 kr
31,28 kr 31.280,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
29,65 kr 88.950,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Märke: STMicroelectronics
Maximal förseningstid vid avstängning: 45 ns
Maximal förseningstid vid påslagning: 45 ns
Fuktkänsliga: Yes
Arbetsström: 6.5 A
Pd - Effektavledning: 40 mW
Produkttyp: Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max: 70 ns
Rds på - Dräneringskällans resistans: 495 mOhms
Avstängning: Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: GaN
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.