MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 115

Lager:
115 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 115 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
106,71 kr 106,71 kr
82,08 kr 820,80 kr
76,74 kr 1.918,50 kr
69,65 kr 6.965,00 kr
66,49 kr 16.622,50 kr
63,87 kr 31.935,00 kr
58,97 kr 58.970,00 kr
2 500 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Märke: STMicroelectronics
Egenskaper: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Ingångsspänning – max.: 15 V
Ingångsspänning – min.: 3.3 V
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: Gate Drivers
Rds på - Dräneringskällans resistans: 225 mOhms
Fabriksförpackningskvantitet: 1560
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Enhetens vikt: 150 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.