MASTERGAN2

STMicroelectronics
511-MASTERGAN2
MASTERGAN2

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 172

Lager:
172 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 172 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
117,61 kr 117,61 kr
95,16 kr 951,60 kr
89,49 kr 2.237,25 kr
82,62 kr 8.262,00 kr
54,94 kr 13.735,00 kr
50,03 kr 25.015,00 kr
47,52 kr 47.520,00 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
63,00 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
2 Driver
1 Output
10 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Märke: STMicroelectronics
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet: 1560
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Enhetens vikt: 150 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.