MASTERGAN1

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1
MASTERGAN1

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 501

Lager:
501 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
84,04 kr 84,04 kr
59,95 kr 599,50 kr
57,23 kr 1.430,75 kr
49,70 kr 4.970,00 kr
47,42 kr 11.855,00 kr
43,27 kr 21.635,00 kr
38,37 kr 38.370,00 kr
37,17 kr 92.925,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Märke: STMicroelectronics
Utvecklingskit: EVALMASTERGAN1
Fuktkänsliga: Yes
Arbetsström: 680 uA
Produkttyp: Gate Drivers
Rds på - Dräneringskällans resistans: 330 mOhms
Avstängning: Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 1560
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Enhetens vikt: 120 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.