KTDM8G4B632BGCBCT

Name: SMART KTDM8G4B632BGCBCT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-KTDM8G4B63BGCBCT
Price: 118.05 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

473-KTDM8G4B63BGCBCT

Tillverk: Nr.:

KTDM8G4B632BGCBCT

Tillverk:

SMARTsemi

Beskrivning:

DRAM DDR4, 8Gb, 512Mbx16, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 96-ball FBGA, Commercial temp

Datablad:

KTDM8G4B632BGCBCT Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SMARTsemi KTDM8G4B632BGCBCT

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	118,05 kr	118,05 kr
	109,55 kr	1.095,50 kr
	106,17 kr	2.654,25 kr
	103,66 kr	5.183,00 kr
	101,15 kr	10.115,00 kr
	97,88 kr	24.470,00 kr
	95,38 kr	47.690,00 kr
	94,72 kr	94.720,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SMART
Produktkategori:	DRAM
RoHS-direktivet:
Typ:	SDRAM - DDR4
Minnesstorlek:	8 Gbit
Databussbredd:	16 bit
Maximal klockfrekvens:	1.6 GHz
Paket/låda:	FBGA-96
Organisation:	512 M x 16
Minimal matningsspänning:	1.14 V
Maximal matningsspänning:	1.26 V
Minsta drifttemperatur:	0 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Märke:	SMARTsemi
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	DRAM
Underkategori:	Memory & Data Storage

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

KTDM8G4B632BGCBCT Datablad (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).