KTDM2G3C618BGCEAT

Name: SMART KTDM2G3C618BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M2G3C618BGCEAT
Price: 94.29 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

473-M2G3C618BGCEAT

Tillverk: Nr.:

KTDM2G3C618BGCEAT

Tillverk:

SMARTsemi

Beskrivning:

DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 125MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Commercial

Datablad:

KTDM2G3C618BGCEAT Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SMARTsemi KTDM2G3C618BGCEAT

På lager: 196

Lager:: 196 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 196 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	94,29 kr	94,29 kr
	91,67 kr	916,70 kr
	78,04 kr	15.451,92 kr
	75,97 kr	45.126,18 kr
	75,54 kr	89.741,52 kr
2 574	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SMART
Produktkategori:	DRAM
RoHS-direktivet:
Typ:	SDRAM - DDR3L
Minnesstorlek:	2 Gbit
Databussbredd:	16 bit
Maximal klockfrekvens:	933 MHz
Paket/låda:	FBGA-96
Organisation:	128 M x 16
Minimal matningsspänning:	1.283 V
Maximal matningsspänning:	1.575 V
Minsta drifttemperatur:	0 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Förpackning:	Tray
Märke:	SMARTsemi
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	DRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	198
Underkategori:	Memory & Data Storage

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

KTDM2G3C618BGCEAT Datablad (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.