Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

IXFH54N65X3

Name: IXYS IXFH54N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH54N65X3
Price: 120.99 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFH54N65X3

Tillverk: Nr.:

IXFH54N65X3

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er TO247 650V 54A N-CH X3CLASS

Datablad:

IXFH54N65X3 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXFH54N65X3

På lager: 625

Lager:: 625 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 41 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 625 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	120,99 kr	120,99 kr
	75,32 kr	753,20 kr
	73,79 kr	8.854,80 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Produkttyp:	MOSFETs
Paket/låda:	TO-247-3
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Kanalläge:	Enhancement
Konfiguration:	Single
Falltid:	7 ns
Transkonduktans framåt - Min:	23 S
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	54 A
Monteringsstil:	Through Hole
Antal kanaler:	1 Channel
Pd - Effektavledning:	625 W
Qg - Gate-laddning:	49 nC
Rds på - Dräneringskällans resistans:	59 mOhms
Stigtid:	10 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	Si
Transistorns polaritet:	N-Channel
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	56 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	23 ns
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.2 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXFH54N65X3 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel, enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X3-Class provides high power density and is easy to mount, all in a space-saving package. The IXYS X3-Class MOSFETs are ideal for switch-mode and resonant-mode power supplies.