ISC151N20NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC151N20NM6ATMA
ISC151N20NM6ATMA1

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er IFX FET >150 - 400V

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
200 V
74 A
15.1 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Falltid: 7 ns
Transkonduktans framåt - Min: 15 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 10 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 5000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 15 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 10 ns
Del # Alias: ISC151N20NM6 SP005562947
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Österrike
Monteringsland:
Kina
Distributionsland:
Österrike
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Qrr), and low on‑resistance RDS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

OptiMOS™ MOSFET:ar med 3 N-kanaler

Infineon Technologies OptiMOS™ MOSFET:ar med 3 N-kanaler har låg resistans vid tillslaget läge i en SuperSO8-kapsling utan stift. OptiMOS MOSFET:ar ökar effekttätheten med upp till 50 procent i tillämpningar för industri, konsument och telekommunikation. OptiMOS™ MOSFET:ar finns med 3 st. N-kanaler på 40 V, 60 V och 80 V i SuperSO8- och Shrink SuperSO8 (S3O8)-kapslingar. Jämfört med standard Transistor Outline-kapslingar (TO), ökar SuperSO8 effekttätheten med så mycket som 50 procent.

OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar är nästa generations banbrytande innovation med prestanda som är bäst i klassen. OptiMOS 6-familjen använder tunn kretsteknik vilket möjliggör betydande prestandafördelar. Jämfört med alternativa produkter, har OptiMOS 6 effekt-MOSFET:ar en reducerad RDS(ON) på 30 % och är optimerad för synkron likriktning.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
9 880
Förväntad 2026-12-24
Fabrikens ledtid:
52
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
52,97 kr 52,97 kr
33,30 kr 333,00 kr
26,16 kr 2 616,00 kr
21,98 kr 10 990,00 kr
20,44 kr 20 440,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
17,58 kr 87 900,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.