IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Name: ISSI IS66WVE2M16EBLL-70BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66E2M16EBLL70BLI
Price: 45.45 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

870-66E2M16EBLL70BLI

Tillverk: Nr.:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Tillverk:

ISSI

Beskrivning:

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Datablad:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ISSI IS66WVE2M16EBLL-70BLI

På lager: 959

Lager:: 959 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1 Maximalt: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	45,45 kr	45,45 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

43,16 kr

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ISSI
Produktkategori:	SRAM
RoHS-direktivet:
Minnesstorlek:	32 Mbit
Organisation:	2 M x 16
Åtkomsttid:	70 ns
Gränssnittstyp:	Parallel
Maximal matningsspänning:	3.6 V
Minimal matningsspänning:	2.7 V
Strömstyrka - Max:	30 mA
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TFBGA-48
Märke:	ISSI
Minnestyp:	SDR
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	SRAM
Serie:	IS66WVE2M16EBLL
Fabriksförpackningskvantitet:	480
Underkategori:	Memory & Data Storage
Typ:	Asynchronous
Enhetens vikt:	86 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IS66WVE2M16EBLL-70BLI Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542329000
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.