IS66WV51216EBLL-55TLI

Name: ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66WV512EBLL55TLI
Price: 35.1 SEK
Availability: InStock

Mouser nr:

870-66WV512EBLL55TLI

Tillverk: Nr.:

IS66WV51216EBLL-55TLI

Tillverk:

ISSI

Beskrivning:

SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns

Datablad:

IS66WV51216EBLL-55TLI Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI

På lager: 1 733

Lager:: 1 733 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1 Maximalt: 28

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	35,10 kr	35,10 kr
	32,70 kr	327,00 kr
	31,72 kr	793,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ISSI
Produktkategori:	SRAM
RoHS-direktivet:
Minnesstorlek:	8 Mbit
Organisation:	512 k x 16
Åtkomsttid:	55 ns
Gränssnittstyp:	Parallel
Maximal matningsspänning:	3.6 V
Minimal matningsspänning:	2.5 V
Strömstyrka - Max:	28 mA
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Märke:	ISSI
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	SRAM
Serie:	IS66WV51216EBLL
Fabriksförpackningskvantitet:	135
Underkategori:	Memory & Data Storage
Enhetens vikt:	2,870 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IS66WV51216EBLL-55TLI Datablad (PDF)

Models

IS66WV51216EBLL-55TLI Symbol & Footprint by SnapMagic

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.