IRF540NSTRLPBF

Infineon Technologies
942-IRF540NSTRLPBF
IRF540NSTRLPBF

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 13 179

Lager:
13 179
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
9 600
Förväntad 2026-08-13
Fabrikens ledtid:
26
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
19,08 kr 19,08 kr
11,77 kr 117,70 kr
8,27 kr 827,00 kr
8,26 kr 4.130,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
5,32 kr 4.256,00 kr
5,28 kr 12.672,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
20,17 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: MOSFET:er
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
33 A
44 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
47.3 nC
- 55 C
+ 175 C
3.8 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Produkttyp: MOSFETs
Fabriksförpackningskvantitet: 800
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Enhetens vikt: 4 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.