Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IQEH68NE2LM7UCGATMA1

Name: Infineon IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH68NE2LM7UCGA
Price: 25.83 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IQEH68NE2LM7UCGA

Tillverk: Nr.:

IQEH68NE2LM7UCGATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IQEH68NE2LM7UCGATMA1

På lager: 3 992

Lager:: 3 992 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 19 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	25,83 kr	25,83 kr
	16,68 kr	166,80 kr
	11,88 kr	1.188,00 kr
	9,94 kr	4.970,00 kr
	8,59 kr	8.590,00 kr
	8,15 kr	20.375,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 5000)
	7,89 kr	39.450,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	25 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	338 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	680 uOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	16 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	22 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	130 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	5.1 ns
Transkonduktans framåt - Min:	50 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	17 ns
Serie:	OptiMOS 7
Fabriksförpackningskvantitet:	5000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	24 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	7.7 ns
Del # Alias:	IQEH68NE2LM7UCG SP005960141

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.