+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IPW95R060PFD7XKSA1

Name: Infineon IPW95R060PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW95R060PFD7XKS
Price: 114.89 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IPW95R060PFD7XKS

Tillverk: Nr.:

IPW95R060PFD7XKSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er HIGH POWER_NEW

Datablad:

IPW95R060PFD7XKSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPW95R060PFD7XKSA1

På lager: 228

Lager:: 228 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 19 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	114,89 kr	114,89 kr
	114,34 kr	1.143,40 kr
	66,16 kr	1.654,00 kr
	60,93 kr	6.093,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	950 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	74.7 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	60 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Qg - Gate-laddning:	315 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	446 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	7.1 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	25 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	240
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	248 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	48 ns
Del # Alias:	IPW95R060PFD7 SP005547003

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IPW95R060PFD7XKSA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).