Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IMBG65R048M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R048M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R048M1HXTM
Price: 81.31 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IMBG65R048M1HXTM

Tillverk: Nr.:

IMBG65R048M1HXTMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SILICON CARBIDE MOSFET

Datablad:

IMBG65R048M1HXTMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IMBG65R048M1HXTMA1

På lager: 1 051

Lager:: 1 051 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 1051 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	81,31 kr	81,31 kr
	55,70 kr	557,00 kr
	43,93 kr	4.393,00 kr
	43,82 kr	21.910,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	37,39 kr	37.390,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	45 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	64 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.7 V
Qg - Gate-laddning:	33 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	183 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolSiC
Märke:	Infineon Technologies
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkt:	MOSFETs
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Serie:	CoolSiC 650V
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Del # Alias:	IMBG65R048M1H SP005539172

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IMBG65R048M1HXTMA1 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.