IKW40N120T2

Infineon Technologies
726-IKW40N120T2
IKW40N120T2

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 4

Lager:
4
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
480
Förväntad 2026-03-19
720
Förväntad 2026-04-09
Fabrikens ledtid:
26
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
70,63 kr 70,63 kr
49,92 kr 499,20 kr
41,64 kr 4 164,00 kr
34,55 kr 16 584,00 kr

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Tube
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
75,97 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.75 V
- 20 V, 20 V
75 A
480 W
- 40 C
+ 175 C
Trenchstop IGBT2
Tube
Märke: Infineon Technologies
Monteringsland: CN
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: MY
Gate-sändarens läckström: 200 nA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 240
Underkategori: IGBTs
Handelsnamn: TRENCHSTOP
Del # Alias: IKW4N12T2XK SP000244962 IKW40N120T2FKSA1
Enhetens vikt: 38 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

1200V Gen8 IGBTs

Infineon 1200V Gen8 IGBTs feature trench gate field stop technology delivered in industry standard TO-247 packages to provide best-in-class performance for industrial and energy-saving applications. The Gen8 technology offers softer turn-off characteristics ideal for motor drive applications, minimizing dv/dt to reduce EMI, and over-voltage, increasing reliability and ruggedness. Infineon 1200V Gen8 IGBTs have current ratings from 8A up to 60A with typical VCE(ON) of 1.7V, and a short-circuit rating of 10µs to reduce power dissipation, resulting in increased power density and robustness. Using thin wafer technology, 1200V Gen8 IGBTs deliver improved thermal resistance and maximum junction temperature up to +175°C.