Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IKP20N60T

Name: Infineon IKP20N60T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKP20N60T
Price: 25.07 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IKP20N60T

Tillverk: Nr.:

IKP20N60T

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Livscykel:

Utgående:

Schemalagd för inkurans och kommer att avvecklas av tillverkaren.

Datablad:

IKP20N60T Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2

Lager:: 2

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 3 000

Förväntad 2026-06-25
Fabrikens ledtid:: 19

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	25,07 kr	25,07 kr
	14,50 kr	145,00 kr
	11,55 kr	1.155,00 kr
	9,09 kr	4.545,00 kr
	7,79 kr	7.790,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	IGBTs
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Paket/låda:	TO-220-3
Monteringsstil:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	600 V
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.5 V
Maximal grind-emitterspänning:	- 20 V, 20 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	41 A
Pd - Effektavledning:	166 W
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	TRENCHSTOP IGBT
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Gate-sändarens läckström:	100 nA
Produkttyp:	IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	500
Underkategori:	IGBTs
Handelsnamn:	TRENCHSTOP
Del # Alias:	SP000683066 IKP2N6TXK IKP20N60TXKSA1
Enhetens vikt:	6 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IKP20N60T Datablad (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-9-15 (PDF)

Product Catalogs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ultrafast 600V Trench IGBTs

Infineon Ultrafast 600V Trench IGBTs are rugged, reliable Insulated Gate Bipolar Transistors optimized for Uninterruptible Power Supplies (UPS), solar, industrial motor, and welding applications. These Ultrafast 600V Trench IGBTs utilize Trench thin wafer technology to offer lower conduction and switching losses. Infineon Ultrafast 600V Trench IGBTs are co-packaged with a soft recovery low Q_rr diode. These devices are ideal for ultra-fast switching (8KHz to 30KHz) applications with 5µs short circuit rating. They feature low V_ce(on) and positive V_ce(on) temperature coefficient for easy paralleling.

IGBT Gate Drives with Murata DC-DC Converters

Infineon IGBTs are commonly used in high-power inverter and converter circuits that require significant isolated gate drive power to switch optimally. Murata small isolated DC/DC converters can provide that power. The same considerations apply in principle to gate drives for silicon, silicon carbide, and gallium nitride MOSFETs.

300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.