Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

HAS310M17BM3

Name: Wolfspeed HAS310M17BM3
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-HAS310M17BM3
Price: 9762.69 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-HAS310M17BM3

Tillverk: Nr.:

HAS310M17BM3

Tillverk:

Wolfspeed

Beskrivning:

Åtskilda halvledaremoduler SiC, Module, 310A, 1700V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

HAS310M17BM3 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Wolfspeed HAS310M17BM3

På lager: 20

Lager:: 20 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	9.762,69 kr	9.762,69 kr
	8.641,85 kr	86.418,50 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Wolfspeed
Produktkategori:	Åtskilda halvledaremoduler
RoHS-direktivet:
Produkt:	SiC Modules
Typ:	Half Bridge
Teknologi:	SiC
Vf - Framspänning:	1.78 V
Vr - Backspänning:	900 V
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, + 19 V
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	Module
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Märke:	Wolfspeed
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	399 A
Pd - Effektavledning:	1.63 kW
Produkttyp:	Discrete Semiconductor Modules
Rds på - Dräneringskällans resistans:	5.8 mOhms
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.7 kV
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.8 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

HAS310M17BM3 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HAS Harsh Environment SiC Half-Bridge Modules

Wolfspeed HAS Harsh Environment Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules provide the system benefits of SiC while maintaining the robust, industry-standard 62mm module package. The internal design, due to the low-inductance layout, enables high-speed SiC switching benefits and increased system efficiency. The Wolfspeed HAS modules are a perfect fit for high-frequency industrial applications such as induction heating, rail/traction, motor drives, and EV charging infrastructures.

1700V BM SiC Half-Bridge Modules

Wolfspeed 1700V BM Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Power Modules feature an industry standard 62mm footprint, copper baseplate, and aluminum nitride insulator. These modules provide ultra-low loss, high-frequency operation, a zero turn-off tail current from MOSFET, and zero reverse recoveries from diodes. The half-bridge modules offer a 62mm form factor to enable the system retrofit and increase efficiency due to low switching and conduction losses of the SiC. These modules operate within a -40°C to +150°C virtual junction temperature range, 310A current (IDS), and -40°C to +125°C case temperature range. The Wolfspeed 1700V BM SiC half-bridge modules are ideally used in induction heating, motor drives, renewables, and EV fast charging applications.

62mm Silicon Carbide Half-Bridge Modules

Wolfspeed 1200V and 1700V 62mm Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules combine the system benefits of SiC with a robust and low-inductance layout. The half-bridge modules feature increased system efficiency due to SiC's low switching and conduction losses. These power modules include a low-inductance internal layout, enabling maximum voltage utilization with minimal overshoot and ringing. The half-bridge modules are chosen from aluminum nitride ceramic for reduced thermal resistance with robust CTE matching and silicon nitride ceramic for sustained maximum junction temperature operation.