Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

GE10MPS06E-TR

Name: Navitas Semiconductor GE10MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE10MPS06E-TR
Price: 25.83 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

905-GE10MPS06E-TR

Tillverk: Nr.:

GE10MPS06E-TR

Tillverk:

GeneSiC Semiconductor

Beskrivning:

SiC-schottkydioder 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

GE10MPS06E-TR Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E-TR

På lager: 2 099

Lager:: 2 099 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	25,83 kr	25,83 kr
	22,78 kr	227,80 kr
	21,69 kr	542,25 kr
	20,06 kr	2.006,00 kr
	19,08 kr	4.770,00 kr
	18,42 kr	9.210,00 kr
	17,66 kr	17.660,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	16,79 kr	41.975,00 kr
	16,35 kr	81.750,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Navitas Semiconductor
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252-2
Konfiguration:	Single
If - Framström:	10 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	650 V
Vf - Framspänning:	1.25 V
Ifsm - Stötström framåt:	55 A
Ir - Motström:	1 uA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	SiC Schottky MPS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	GeneSiC Semiconductor
Pd - Effektavledning:	191 W
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Vr - Backspänning:	650 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GE10MPS06E-TR Datablad (PDF)

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.