Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

GCMX010A120B3H1P

Name: SemiQ GCMX010A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX010A120B3H1P
Price: 1102.64 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

148-GCMX010A120B3H1P

Tillverk: Nr.:

GCMX010A120B3H1P

Tillverk:

SemiQ

Beskrivning:

MOSFET-moduler 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

GCMX010A120B3H1P Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SemiQ GCMX010A120B3H1P

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 20 Flera: 20

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	1.102,64 kr	22.052,80 kr
	998,66 kr	99.866,00 kr
500	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SemiQ
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Press Fit
Paket/låda:	B3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	4 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	201 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	8.9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	600 W
Serie:	GCMX
Förpackning:	Bulk
Märke:	SemiQ
Falltid:	15 ns
Höjd:	15.2 mm
Längd:	62.8 mm
Produkt:	Modules
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	9 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	20
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Typ:	Full Bridge Module
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	50 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	32 ns
Vf - Framspänning:	3.9 V
Bredd:	56.7 mm

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GCMX010A120B3H1P Datablad (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX 1 200 V SiC MOSFET-moduler med komplett brygga

SemiQ GCMX 1 200 V SiC MOSFET moduler med helbrygga har låga switchförluster, låg termisk resistans mellan anslutning och hölje, med mycket robust och enkel montering. Modulerna direktmonteras på kylflänsen (isolerad kapsling) och inkluderar en Kelvin-referens för stabil drift. Alla delar har testats noggrant för att tåla spänningar över 1 350 V. Den karakteristiska egenskapen för dessa moduler är den robusta dräneringsspänningen på 1 200 V. GCMX-moduler med hel brygga arbetar vid en övergångstemperatur på 175°C och är RoHS-kompatibla. Typiska tillämpningar innefattar solcellsomvandlare, batteriladdare, energilagringssystem och DC-till-DC-omvandlare för hög spänning.