GCMS020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS020B120S1-E1
Price: 356.21 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

148-GCMS020B120S1-E1

Tillverk: Nr.:

GCMS020B120S1-E1

Tillverk:

SemiQ

Beskrivning:

Åtskilda halvledaremoduler SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

Datablad:

GCMS020B120S1-E1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SemiQ GCMS020B120S1-E1

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	356,21 kr	356,21 kr
	264,98 kr	2.649,80 kr
	247,43 kr	29.691,60 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SemiQ
Produktkategori:	Åtskilda halvledaremoduler
RoHS-direktivet:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	Silicon Carbide (SiC) Module
Teknologi:	SiC
Vf - Framspänning:	1.49 V
Vgs - Gate-källans spänning:	- 5 V, + 10 V
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SOT-227-4
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	GCMS
Förpackning:	Tube
Märke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Falltid:	25 ns
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	113 A
Pd - Effektavledning:	395 W
Produkttyp:	Discrete Semiconductor Modules
Rds på - Dräneringskällans resistans:	28 mOhms
Stigtid:	8 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorns polaritet:	N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	46 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	25 ns
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GCMS020B120S1-E1 Datablad (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.